RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
48
Rund um -92% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
7.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2169
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link