RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
48
Rund um -45% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
9.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
8.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2286
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link