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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
48
51
Rund um 6% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
9.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
7.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2248
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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