RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
48
Rund um -129% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
12.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2980
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link