RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
48
Rund um -78% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
13.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
3296
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link