RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
48
Rund um -71% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.8
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.7
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
17.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
3838
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F5-6000U3636E16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link