Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB

Gesamtnote
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Gesamtnote
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB

Unterschiede

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    30 left arrow 47
    Rund um -57% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.9 left arrow 9.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    13.4 left arrow 5.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 10600
    Rund um 1.6 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    47 left arrow 30
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.3 left arrow 16.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.9 left arrow 13.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1413 left arrow 3257
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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