RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
47
Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.9
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.9
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
20.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
16.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1413
3835
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Inmos + 256MB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link