RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
47
Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
15.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1413
3666
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link