RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
47
Rund um -42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
11.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1413
2637
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link