RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
47
Rund um -62% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
13.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1413
3072
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link