RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
47
Rund um -147% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.9
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
20.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
15.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1413
3801
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link