RAM-Vergleich Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Gesamtnote

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

47 54

Rund um 13% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

7.3 5.9

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 10600

Rund um 1.6 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1413 1904

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns