RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
47
52
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
7.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1413
2260
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link