RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
47
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
12.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1413
3084
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link