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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
47
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
11.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1413
2737
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
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