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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
47
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
11.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1413
2803
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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