Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Gesamtnote
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Gesamtnote
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SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Unterschiede

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    47 left arrow 49
    Rund um 4% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.3 left arrow 8.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.9 left arrow 5.2
    Durchschnittswert bei den Tests
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
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Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    47 left arrow 49
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.3 left arrow 8.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.9 left arrow 5.2
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1413 left arrow 1223
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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