RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
43
Rund um 5% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
15.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2016
3282
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link