RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
41
Rund um -116% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.4
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
20.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
14.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2016
3066
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link