RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
11
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
6.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
41
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
11.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
6.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2016
1908
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link