RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
50
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
50
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2016
2424
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link