RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
41
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
14.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2016
3596
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-071.A00LF 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link