Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB

Gesamtnote
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Gesamtnote
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Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB

Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB

Unterschiede

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    41 left arrow 121
    Rund um 66% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.3 left arrow 2.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.0 left arrow 2.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 10600
    Rund um 1.21% höhere Bandbreite
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
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Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    41 left arrow 121
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.3 left arrow 2.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.0 left arrow 2.2
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2016 left arrow 425
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