RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
41
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2016
2081
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link