RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
41
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
10.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2016
3105
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link