RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
41
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
11.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2016
3224
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link