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Samsung M471B5273DH0-YH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-YH9 4GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-YH9 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-YH9 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
47
Rund um 40% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
6.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
4.4
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-YH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
28
47
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.2
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.4
5.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
625
1413
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991988 (996988) 4GB
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
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