RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
40
Rund um -67% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.6
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
15.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
3800
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link