RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
40
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
13.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
3049
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link