RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
40
Rund um -67% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.8
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
21.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
17.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
4006
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link