RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
40
Rund um -11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
15.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
3426
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link