RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
40
Rund um -74% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
8.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
2631
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link