RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
40
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
11.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
3243
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link