Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB

Gesamtnote
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Gesamtnote
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB

Unterschiede

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    36 left arrow 40
    Rund um -11% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.4 left arrow 12.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.5 left arrow 8.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 12800
    Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    40 left arrow 36
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.3 left arrow 15.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.9 left arrow 11.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1789 left arrow 2792
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche