RAM-Vergleich Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Gesamtnote

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

12.3 12

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

28 40

Rund um -43% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

9.1 8.9

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 12800

Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1789 2347

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns