RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
40
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
12.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
2635
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Inmos + 256MB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link