RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
40
Rund um -67% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.6
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.9
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
20.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
16.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
3870
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link