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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
40
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
10.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
7.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
2297
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A
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