RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
40
Rund um -25% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
7.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
2322
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link