RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
49
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
8.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
8.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
2331
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link