RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
40
Rund um -11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
11.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
2381
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kllisre 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9965525-153.A00LF 8GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link