RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
40
Rund um -60% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
11.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
2681
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link