RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
63
Rund um 37% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
63
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
9.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
1932
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link