RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
43
Rund um 30% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.3
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
11.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
9.2
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
2098
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link