RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
35
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
13.7
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
3306
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link