RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
30
Rund um -7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
15.4
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
3503
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link