RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
30
Rund um -7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
13.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
10.1
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
2820
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link