RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
33
Rund um 9% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
13.3
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
3298
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link