RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
30
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
12.4
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
2659
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link